Powered by Rock ConvertO pioneiro do transistor
(Crédito da fotografia: Cortesia © Copyright EDN Magazine/ REPRODUÇÃO/ TODOS OS DIREITOS RESERVADOS)
Jean Amédée Hoerni (nasceu na Suíça em 26 de setembro de 1924 – faleceu em 12 de janeiro de 1997 em Seattle), cientista que inventou uma estrutura plana de transistores.
Sem essa estrutura, os circuitos integrados (chips) atualmente não existiam. Os circuitos integrados, especialmente os microprocessadores, não estão no centro de quase tudo que é eletrônico que afeta nossas vidas.
Hoerni foi um dos cientistas que deixou a Shockley Semiconductor em 1957 para fundar a Fairchild Semiconductor, ou avô do que hoje chamamos de Vale do Silício.
Os dispositivos planares protegiam as junções e também apresentavam melhores características elétricas, incluindo correntes de fuga mais baixas, e permitiam a fabricação de todos os componentes de um IC a partir de um lado de um wafer. Os CIs modernos de bilhões de transistores contam com a ideia de Hoerni.
Hoerni fundou a Amelco Semiconductor (uma divisão da Teledyne), a Union Carbide Electronics e a Intersil. Ele recebeu a Medalha Edward Longstreth do Instituto Franklin em 1969 e o Prêmio McDowell em 1972. Hoerni foi incluído no Hall da Fama dos Inventores Nacionais em 2009.
Ele faleceu em 12 de janeiro de 1997 em Seattle, aos 72 anos.
(Créditos autorais: https://www.nytimes.com/1998/01/25/magazine – New York Times/ REVISTA/ por George Rosky Manhasset, Nova York – 25 de janeiro de 1998)
Uma versão deste artigo foi publicada em 25 de janeiro de 1998, seção 6, página 8 da edição nacional com o título: The Lives They Lived.
© 1998 The New York Times Company
(Créditos autorais: https://www.edn.com – MOMENTOS EDN/ POR JESSICA MACNEIL – 26 DE SETEMBRO DE 2019)
Fonte: Museu de História do Computador
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Hoerni nasceu na Suíça em 26 de setembro de 1924 e, depois de receber dois títulos de doutorado pela Universidade de Genebra e pela Universidade de Cambridge, mudou-se para os EUA para trabalhar no Instituto de Tecnologia da Califórnia. Lá ele conheceu William Shockley, um dos inventores do transistor, e começou a trabalhar no Shockley Semiconductor Laboratory.
Apenas um ano depois, em 1957, Hoerni e sete outros deixaram Shockley para fundar a Fairchild Semiconductor. O grupo, que incluía Noyce e Gordon Moore, ficaria conhecido como os oito traidores.
Foi lá que Hoerni inventou o processo planar que permitiu a criação de transistores a partir de silício em vez de germânio. Ao tentar resolver problemas de confiabilidade com o transistor mesa, ele se lembrou de uma ideia anterior de deixar a camada de óxido no lugar em um wafer de silício para proteger as sensíveis junções pn abaixo. Seu método incorporou gravação precisa para permitir camadas interconectadas.
Numa reunião com Noyce em janeiro de 1959, ele apresentou a versão mais recente do processo, que seria a base para a patente 3.025.589, emitida em 1962 para um “método de fabricação de dispositivos semicondutores”. Poucos dias depois, Noyce documentou sua ideia para o IC planar.